Bonjour,
les valeurs trouvées pour la 2) sont ...étranges :
pour λ = 400 nm, E = hc/λ = 6,62.10⁻³⁴ x 3.10⁸/400.10⁻⁹ = 4,965.10⁻¹⁹ J
soit : 4,965.10⁻¹⁹/1,60.10⁻¹⁹ ≈ 3,10 eV
et pour λ = 800 nm, E ≈ 1,55 eV
je ne comprends pas non plus l'indication de l'énoncé : 1 J = 6,24.10²⁴ eV
car 1/1,60.10⁻¹⁹ = 6,25.10¹⁸...bref.
3) L'énergie minimale pour placer un électron de valence dans la bande de conduction est donc de 1,55 eV environ.
Ce qui exclut Si et GaAs
⇒ il faut utiliser le silicium amorphe a-Si
